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2024-02-07 04:15:42

　　广东佛山中国 广东 佛山市顺德区 勒流西华村第二工业区（西华变电站往前100米）

　　地址：四川成都中国 四川 成都市 成都市花圃路红运大厦一楼A18号（电梯旁）.顺德工厂顺德容桂华发路工业园。

　　“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...

　　据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。多宝体育官网 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择，其中七个采用 TO-220-2L 封装，五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...

　　Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

　　器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS...

　　njr推出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管

　　如今，为了实现可持续发展和繁荣的社会，在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群，进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管，其最大额定值为650V/10A...

　　宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用混合PINSchottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温...